PICOSUN R-200 Advanced
Оборудование для осаждения тонких пленок по технологии атомно-слоевого осаждения (АСО)
Системы ALD PICOSUN™ R-200 Advanced предназначены для проведения научно-исследовательских работ в различных сферах (компоненты на интегральных микросхемах, микроэлектромеханические устройства, дисплеи, светодиоды, лазеры и 3D-объекты, такие как объективы, линзы, ювелирные украшения, монеты и медицинские импланты).
Система PICOSUN™ R-200 Advanced — лидер на мировом рынке усовершенствованных инструментов ALD для исследовательских целей, которой пользуются сотни заказчиков. Эту систему выбирают компании и научно-исследовательские институты, стремящиеся к инновациям.
Гибкая конструкция и исключительная универсальность системы для удовлетворения грядущих потребностей и решения будущих задач обеспечивают получение пленок ALD наивысшего качества. Запатентованная конструкция c горячими стенками и полностью раздельными вводами и контрольно-измерительными приборами обеспечивает обработку широкого ряда материалов на пластинах, 3D-объектов и наноэлементов без присутствия частиц. Исключительная однородность даже на самых сложных пористых подложках, подложках с большим аспектным отношением и образцах с наночастицами достигается за счет нашей собственной технологии Picoflow™. Системы PICOSUN™ R-200 Advanced комплектуются высокофункциональными и легкозаменяемыми источниками прекурсоров для жидких, газообразных и твердых химических веществ. Запатентованное высокоэффективное дистанционное исполнение с использованием плазмы позволяет осаждать металлы без риска короткого замыкания или повреждений. Интеграция с перчаточными боксами, системами сверхвысокого вакуума, ручными и автоматизированными загрузчиками, кластерным оборудованием, порошковыми камерами, камерами с рулонной подачей и разнообразными местными аналитическими системами обеспечивает гибкое и эффективное проведение исследовательских работ и надежные результаты независимо от области текущих или будущих научных интересов.
Технические характеристики
Размер и тип стандартной подложки
- Одиночные пластины 50–200 мм
- Кремниевые пластины 156 × 156 мм для солнечных батарей
- 3D-объекты
- Порошки и частицы
- Мини-партии
- Пористые материалы, материалы со сквозными порами и элементы с большим аспектным отношением (до 1:2500)
Температура обработки
- 50–500 °C, плазма 450 °C (650 °C с подогреваемым держателем — по заказу)
Стандартные технологические процессы
- Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2, AlN, TiN, металлы (Pt или Ir)
Загрузка подложки
- Ручная загрузка с помощью пневматического подъемника
- Загрузочный шлюз с магнитным манипулятором
- Полуавтоматическая загрузка с помощью робота-манипулятора
- Загрузка из кассеты в кассету с помощью кластерных инструментов
Прекурсоры
- Жидкостные, твердые вещества, газ, озон, плазма
- До 12 источников с 6 отдельными вводами (7 при использовании плазмы)
Дополнительное оборудование
- Кластерное оборудование, усилитель диффузии Picoflow™, камера с рулонной подачей, анализатор остаточных газов (RGA) на основе квадрупольного масс-спектрометра, совместимость со сверхвысоким вакуумом, генератор N2, газовый скруббер, изготовление конструкции по ТЗ заказчика, интеграция с перчаточным боксом для загрузки из инертной атмосферы