АСО для HEMT (high electron mobility transistors) на основе GaN (нитрида галлия) технологий
ссылка на файл:
Рады сообщить, что компания Picosun (Финляндия), Национальный университет Цзяотун (NCTU,Taiwan) и компания Atom Semicon Co., Ltd. (Taiwan) объединяют свои усилия с целью разработки новых устройств на основе GaN (нитрида галлия) с использованием технологии атомно-слоевого осаждения (АСО). Сотрудничество Picosun, NCTU и Atom Semicon Co., Ltd. направлено в первую очередь на прямую поддержку производителей, работающих с технологией GaN. Решения АСО Picosun увеличивают производительность и надежность конечных устройств, а также ускоряют фазу НИОКР при разработке новых компонент.
Более подробно Вы можете узнать о сотрудничестве в приложенном пресс-релизе, совместной статье Picosun и NCTU.